FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APT56F50B2
Модель：
APT56F50B2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 2.5mA
- Пакет/кейс TO-247-3 Variant
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8800 pF @ 25 V
- Пакет устройств поставщика T-MAX™ [B2]
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 56A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 220 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 780W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V
