FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTC60DAM35T1G
Модель：
APTC60DAM35T1G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 416W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 72A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14000 pF @ 25 V
- Пакет/кейс SP1
- Пакет устройств поставщика SP1
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 5.4mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 518 nC @ 10 V
