FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTC90DAM60T1G
Модель：
APTC90DAM60T1G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 59A (Tc)
- Пакет/кейс SP1
- Пакет устройств поставщика SP1
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 52A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 6mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 540 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13600 pF @ 100 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 462W (Tc)
