FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTM120DA30CT1G
Модель：
APTM120DA30CT1G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 560 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Tc)
- Пакет/кейс SP1
- Пакет устройств поставщика SP1
- Рассеиваемая мощность (макс.) 657W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 360mOhm @ 25A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14560 pF @ 25 V
