FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTM120DA56T1G
Модель：
APTM120DA56T1G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 300 nC @ 10 V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 2.5mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 390W (Tc)
- Пакет/кейс SP1
- Пакет устройств поставщика SP1
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 672mOhm @ 14A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7736 pF @ 25 V
