FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTM120U10SAG
Модель：
APTM120U10SAG
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 20mA
- Пакет устройств поставщика SP6
- Пакет/кейс SP6
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 116A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 28900 pF @ 25 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3290W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 58A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1100 nC @ 10 V
