FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
BSP373NH6327XTSA1
Модель：
BSP373NH6327XTSA1
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Пакет устройств поставщика PG-SOT223-4
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.8A (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 265 pF @ 25 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 218µA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.8A, 10V
