FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
BTS247ZE3062AATMA2
Модель：
BTS247ZE3062AATMA2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 55 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 90 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1730 pF @ 25 V
- Пакет/кейс TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 90µA
- Особенность полевого транзистора Temperature Sensing Diode
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-5-2
