FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
BTS282ZE3230AKSA2
Модель：
BTS282ZE3230AKSA2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4800 pF @ 25 V
- Особенность полевого транзистора Temperature Sensing Diode
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 49 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 240µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 232 nC @ 10 V
- Пакет/кейс TO-220-7
- Пакет устройств поставщика PG-TO220-7-12
