FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
BUK7E1R6-30E,127
Модель：
BUK7E1R6-30E,127
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Пакет/кейс TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 349W (Tc)
- Пакет устройств поставщика I2PAK
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 154 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11960 pF @ 25 V
