FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
BUK951R6-30E,127
Модель：
BUK951R6-30E,127
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 1mA
- ВГС (Макс) ±10V
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Пакет/кейс TO-220-3
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 349W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 113 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 16150 pF @ 25 V
