FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
CSD23202W10T
Модель：
CSD23202W10T
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Texas Instruments
Описание：
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
- ВГС (Макс) -6V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.2A (Ta)
- Пакет устройств поставщика 4-DSBGA (1x1)
- Пакет/кейс 4-UFBGA, DSBGA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.8 nC @ 4.5 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 53mOhm @ 500mA, 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 512 pF @ 6 V
