FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
CSD25303W1015
Модель：
CSD25303W1015
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Texas Instruments
Описание：
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Пакет устройств поставщика 6-DSBGA (1x1.5)
- Пакет/кейс 6-UFBGA, DSBGA
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 435 pF @ 10 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.3 nC @ 4.5 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 58mOhm @ 1.5A, 4.5V
