DMG9N65CTI

DMG9N65CTI

Модель: DMG9N65CTI
Описание: MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Пакет устройств поставщика ITO-220AB
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39 nC @ 10 V
  • Пакет/кейс TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2310 pF @ 25 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 13W (Tc)