FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN1019UFDE-7
Модель：
DMN1019UFDE-7
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.2V, 4.5V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 800mV @ 250µA
- Пакет/кейс 6-PowerUDFN
- Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type E)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50.6 nC @ 8 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2425 pF @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 690mW (Ta)
