FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN1019UVT-13
Модель：
DMN1019UVT-13
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет устройств поставщика TSOT-26
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.2V, 4.5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 800mV @ 250µA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10.7A (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50.4 nC @ 8 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2588 pF @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.73W (Ta)
