FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN2005UFG-13
Модель：
DMN2005UFG-13
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика POWERDI3333-8
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.05W (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 164 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18.1A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6495 pF @ 10 V
