FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN2009LSS-13
Модель：
DMN2009LSS-13
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-SO
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Ta)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 58.3 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2555 pF @ 10 V
