DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Модель: DMN2990UFA-7B
Описание: MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.2V, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 400mW (Ta)
  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 510mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 27.6 pF @ 16 V
  • Пакет устройств поставщика X2-DFN0806-3