FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN3010LFG-13
Модель：
DMN3010LFG-13
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37 nC @ 10 V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2075 pF @ 15 V
- Пакет устройств поставщика POWERDI3333-8
- Рассеиваемая мощность (макс.) 900mW (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 18A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta), 30A (Tc)
