DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Модель: DMN3032LE-13
Описание: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
  • Пакет устройств поставщика SOT-223-3
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.6A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 3.2A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 498 pF @ 15 V