FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN30H4D0LFDE-13
Модель：
DMN30H4D0LFDE-13
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 630mW (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 300 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.7V, 10V
- Пакет/кейс 6-PowerUDFN
- Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type E)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 550mA (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.6 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 187.3 pF @ 25 V
