FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN31D5UFZ-7B
Модель：
DMN31D5UFZ-7B
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.2V, 4.5V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 220mA (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
- Пакет/кейс 3-XFDFN
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.35 nC @ 4.5 V
- Пакет устройств поставщика X2-DFN0606-3
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 22.2 pF @ 15 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 393mW (Ta)
