EPC2018

EPC2018

Модель: EPC2018
Бренд: EPC
Описание: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Пакет/кейс Die
  • Пакет устройств поставщика Die
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 3mA
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.5 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 540 pF @ 100 V
  • ВГС (Макс) +6V, -5V