FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс Die
- Пакет устройств поставщика Die
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 65 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.45 nC @ 5 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 500mA, 5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 52 pF @ 32.5 V
