FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Дружеские ссылки
Sitemap
FCH041N65F-F155
Модель：
FCH041N65F-F155
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Пакет/кейс TO-247-3
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 76A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 595W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 7.6mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 294 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13020 pF @ 100 V
