FCU850N80Z

FCU850N80Z

Модель: FCU850N80Z
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
  • Пакет устройств поставщика IPAK
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 75W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 600µA
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1315 pF @ 100 V