FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
FDD10AN06A0-F085
Модель：
FDD10AN06A0-F085
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37 nC @ 10 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Квалификация AEC-Q101
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-252AA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 135W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1840 pF @ 25 V
