FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
FDD1600N10ALZ
Модель：
FDD1600N10ALZ
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Пакет устройств поставщика TO-252AA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.8A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.61 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 225 pF @ 50 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 14.9W (Tc)
