FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Дружеские ссылки
Sitemap
FDMA86265P
Модель：
FDMA86265P
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- ВГС (Макс) ±25V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.4W (Ta)
- Пакет устройств поставщика 6-MicroFET (2x2)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 210 pF @ 75 V
