FDMC86139P

FDMC86139P

Модель: FDMC86139P
Описание: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.3W (Ta), 40W (Tc)
  • Пакет устройств поставщика 8-MLP (3.3x3.3)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.4A (Ta), 15A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 67mOhm @ 4.4A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1335 pF @ 50 V