FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
FJ6K01010L
Модель：
FJ6K01010L
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 6-SMD, Flat Leads
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1400 pF @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 1A, 4.5V
- Пакет устройств поставщика WSMini6-F1-B
