FQA13N50C-F109

FQA13N50C-F109

Модель: FQA13N50C-F109
Описание: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Пакет устройств поставщика TO-3P
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 56 nC @ 10 V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 480mOhm @ 6.75A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2055 pF @ 25 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 218W (Tc)