FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
GA06JT12-247
Модель：
GA06JT12-247
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
GeneSiC Semiconductor
Описание：
TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-247-3
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Пакет устройств поставщика TO-247AB
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Tc) (90°C)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 220mOhm @ 6A
