FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
GA10JT12-263
Модель：
GA10JT12-263
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
GeneSiC Semiconductor
Описание：
TRANS SJT 1200V 25A
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25A (Tc)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 170W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1403 pF @ 800 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 10A
