FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
GA50JT06-258
Модель：
GA50JT06-258
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
GeneSiC Semiconductor
Описание：
TRANS SJT 600V 100A TO258
Инкапсуляция：
Bulk
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Рабочая Температура -55°C ~ 225°C (TJ)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A
- Рассеиваемая мощность (макс.) 769W (Tc)
- Пакет устройств поставщика TO-258
- Пакет/кейс TO-258-3, TO-258AA
