GKI06185

GKI06185

Модель: GKI06185
Описание: MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 350µA
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 46W (Tc)
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Ta)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1510 pF @ 25 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23.7 nC @ 10 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15.5A, 10V