FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
GKI06259
Модель：
GKI06259
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanken Electric Co., Ltd.
Описание：
MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta)
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1050 pF @ 25 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 21mOhm @ 12.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 40W (Tc)
