FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
HAT2169H-EL-E
Модель：
HAT2169H-EL-E
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 30W (Tc)
- Пакет/кейс SC-100, SOT-669
- Пакет устройств поставщика LFPAK
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 25A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6650 pF @ 10 V
