FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
HCT7000M
Модель：
HCT7000M
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет устройств поставщика 3-SMD
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
- Пакет/кейс 3-SMD, No Lead
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 300mW (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 60 pF @ 25 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 1mA
- ВГС (Макс) ±40V
