FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IPB80N06S2LH5ATMA4
Модель：
IPB80N06S2LH5ATMA4
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 55 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80A (Tc)
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5000 pF @ 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 190 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 80A, 10V
