FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IPD50R1K4CEBTMA1
Модель：
IPD50R1K4CEBTMA1
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
- Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
- Рассеиваемая мощность (макс.) 25W (Tc)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 13V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.1A (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 70µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 900mA, 13V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 178 pF @ 100 V
