FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IPD50R800CEBTMA1
Модель：
IPD50R800CEBTMA1
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
- Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
- Рассеиваемая мощность (макс.) 40W (Tc)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 13V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 130µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 280 pF @ 100 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V
