FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IPP60R1K4C6XKSA1
Модель：
IPP60R1K4C6XKSA1
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-220-3
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Пакет устройств поставщика PG-TO220-3
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.1 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 90µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.2A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 28.4W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 200 pF @ 100 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
