FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IPW65R095C7XKSA1
Модель：
IPW65R095C7XKSA1
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24A (Tc)
- Пакет/кейс TO-247-3
- Пакет устройств поставщика PG-TO247-3-1
- Рассеиваемая мощность (макс.) 128W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 590µA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 95mOhm @ 11.8A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2140 pF @ 400 V
