FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRF100B202
Модель：
IRF100B202
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Пакет/кейс TO-220-3
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 221W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 150µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 116 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 97A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 58A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4476 pF @ 50 V
