FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRF8301MTRPBF
Модель：
IRF8301MTRPBF
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6140 pF @ 15 V
- Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ MT
- Пакет/кейс DirectFET™ Isometric MT
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 150µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A (Ta), 192A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 32A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 77 nC @ 4.5 V
