FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRFHM4226TRPBF
Модель：
IRFHM4226TRPBF
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28A (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 50µA
- Пакет/кейс 8-TQFN Exposed Pad
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2000 pF @ 13 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.7W (Ta), 39W (Tc)
