FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRFHM8342TRPBF
Модель：
IRFHM8342TRPBF
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 25µA
- Пакет устройств поставщика 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 560 pF @ 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 17A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.6W (Ta), 20W (Tc)
