FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRLB8314PBF
Модель：
IRLB8314PBF
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Пакет/кейс TO-220-3
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Пакет устройств поставщика TO-220-3
- Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 171A (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 100µA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 68A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5050 pF @ 15 V
